據(jù)*客戶端報(bào)道，3月19日復(fù)旦大學(xué)修發(fā)賢團(tuán)隊(duì)在材料領(lǐng)域期刊《自然·材料》上發(fā)表新研究論文，論文名為《外爾半金屬砷化鈮納米帶中的超高電導(dǎo)率》，該團(tuán)隊(duì)在論文中稱已制備出二維體系中具有目前已知高導(dǎo)電率的外爾半金屬材料-砷化鈮納米帶。
報(bào)道稱，修發(fā)賢團(tuán)隊(duì)新研制的砷化鈮納米帶材料，電導(dǎo)率是銅薄膜的一百倍，石墨烯的一千倍。同時(shí)，區(qū)別于超導(dǎo)材料只能在零下幾十度超低溫下應(yīng)用，新材料砷化鈮的高電導(dǎo)機(jī)制即使在室溫下仍然有效。這一發(fā)現(xiàn)也為材料科學(xué)尋找高性能導(dǎo)體提供了一個可行思路，在降低電子器件能耗等方面有重大價(jià)值。
復(fù)旦大學(xué)物理學(xué)系教授修發(fā)賢稱，我們的手機(jī)發(fā)熱、電腦發(fā)熱是有兩個原因，晶體管本身的發(fā)熱和電流流經(jīng)這些（互連）導(dǎo)線所產(chǎn)生的導(dǎo)線發(fā)熱，那我們現(xiàn)在要解決的問題就是導(dǎo)線的發(fā)熱，我們的這個材料就可以在這一方面有所用途。
導(dǎo)電材料是電子工業(yè)的基礎(chǔ)，現(xiàn)在主要的材料是銅，已大規(guī)模用于晶體管的互連導(dǎo)線。信息時(shí)代，計(jì)算機(jī)和智能設(shè)備體積越來越小，而當(dāng)銅變得很薄，進(jìn)入二維尺度時(shí)，電阻變大，導(dǎo)電性迅速變差，功耗大幅度增加。這也是制約芯片等集成電路技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展的重要瓶頸。
